Wafer Diagnostic Metrology
「您負責勇往直前，WaferMasters替你抓住製程關鍵。」
因應摩爾定律以及現代高性能微電子產品輕薄短小的需求，各家大廠紛紛研發新的晶圓技術，無論是從根本上改變晶片的設計、或是尋找矽晶圓的替代品、抑或是從現有運算方式或是電晶體尋找出路等等，而在高階製程中無法忽略的是在熱處理或是TSV加工下，因為應力不均導致晶圓破裂等情形，因此WAFERMASTERS非破壞性的物理監控是最佳的解決方案。
何謂TSV？
TSV技術讓連接線也可在晶片中間，並不侷限於晶片周圍，使得內部連接路徑更短，相對使晶片間的傳輸速度更快、雜訊小、效能更佳，同時可達到高密度構裝，並可應用於異質晶片堆疊，如類比及數位、矽基及三五族、記憶體與射頻等。
TSV的立體互連技術比打線接合具有更短的互連路徑、更低的電阻與電感，以及更有效率地傳遞訊號與電力，還擁有不限制裸晶堆疊數量等優勢，CMOS Sensor、記憶體已在採用TSV 技術，未來基頻、射頻、處理器等應用趨勢愈來愈明顯。
由於目前業界缺乏診斷潛藏在製程中造成晶圓損傷、缺陷和電導率損害的工具，WAFERMASTERS開發了多波長拉曼光譜儀（MRS-300），以及光學表面輪廓分析儀（OSP-300）和多波長光致發光檢測儀（MPL-300），實現非破壞性的高精度、高穩定性、高性能之物理監控。
MPL-300
多波長光致發光光譜儀，藉由影響半導體的少數載流子壽命和電子遷移特性等 最直接的方法來測量帶隙能摻雜劑活化、電活性缺陷、金屬汙染。
MPL-300 系統設計基於微光致發光（PL）測量技術和 WAFERMASTERS 專有的 PL 成像技術。它允許基於矽（SI）的材料和器件的多波長微PL光譜表徵和晶片級PL成像，例如存儲器件， CMOS 影像感測器和太陽能電池。 獨家設計的 TE 冷卻紅外光譜儀和 CCD 相機沒有可移動部件，能確保高量測精度，可重複性與高穩定性。 通過改變激發波長順序測量PL光譜，而不在表徵下移動樣品。 提供了在相同測量位置處的PL光譜/圖像的深度剖析，從而提供樣本的高準確資訊。
應用
- 無損晶圓表徵和在線過程監控
- 能隙
- 結晶缺陷
- DOPANT等級
- 汙染程度
-中間密度
-載體壽命
-植入/蝕刻損傷
-傷害恢復程度
-外延膜質量
-鈍化層質量
-介面質量
構造簡單而穩健的設計
激發光源：
- 405 nm
- 473 nm
- 532 nm
-650 nm
-785 nm
-827 nm
光譜儀和CCD相機
- TE冷卻紅外探測器
- TE冷卻CCD相機(可選)
無損光學表徵
無樣品製備
測量性能
- 波長範圍：900~1400 nm
-波長分辨率：~2 nm (或~1 nm)
-測量重複性：~0.2 nm
快速啟動(當天)
最低耗材
目標鏡頭放大倍數(用於微型PL測量)
- 2.5倍用於凹口對齊
- 5倍，10倍，20倍，50倍用於測量
小尺寸
內置兩個FOUP開啟器
Effect of supporting configurations
SiO2/ Si Interface Quality Monitoring
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